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    COS Encapsulated Semiconductor Laser
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COS Encapsulated Semiconductor Laser

COS (Chip On Submount) packaging is an efficient and advanced semiconductor laser packaging technology that directly mounts laser chips onto a submount. With advantages such as high efficiency, low thermal resistance, and strong reliability, COS packaging technology has been widely adopted in industrial processing, medical equipment, telecommunications, and other fields.

  • 10W~45W
    Output Power
  • 808~1064nm
    Central Emission Wavelength
  • 6nm
    Spectral Width
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vs
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  • 808
  • 880
  • 915
  • 976

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Product Advantages

  • Low Thermal Resistance

    COS packaging significantly reduces thermal resistance through optimized thermal management design, improving the heat dissipation efficiency of laser chips.

  • Stability

    COS packaging delivers outstanding mechanical stability, enabling resistance to vibration and shock, ensuring reliable operation even in harsh environments.

  • Power and Wavelength Versatility

    COS offers customizable power and wavelength options to meet diverse application requirements.

Specifications

Product Model
  • 808
    cos1.png
    vs
  • 880
    cos1.png
    vs
  • 915
    cos1.png
    vs
  • 976
    cos1.png
    vs
  • Output Power（W）
  • Central Emission Wavelength（nm）
  • Threshold Current（A）
  • Operating Current（A）
  • Operating Voltage（V）
  • Vertical Far Field 95% PlB [Deg]（°）
  • Lateral Far Field 95% PlB [Deg]（°）
  • Slope Efficiency
  • Conversion Efficiency（%）
  • Wavelength Center (l=2A)
  • Spectral Width (FWHM)（nm）
  • Polarisation Ratio TE / (TM+TE)（%）
  • Emitter Width（μm）
  • Welding Temperature（℃）
  • Operating Temp.（℃）
  • Storage Temp.（℃）
  • Wavelength Temperature Coefficient（nm/°C）
  • Dimension（mm）
  • Weight（g）

  • 808

    cos1.png
    • Output Power（W）
      8~10
    • Central Emission Wavelength（nm）
      808
    • Threshold Current（A）
      1~1.8
    • Operating Current（A）
      8.5~11
    • Operating Voltage（V）
      1.75
    • Vertical Far Field 95% PlB [Deg]（°）
      58
    • Lateral Far Field 95% PlB [Deg]（°）
      11
    • Slope Efficiency
      1.1
    • Conversion Efficiency（%）
      52~54
    • Wavelength Center (l=2A)
      800~804
    • Spectral Width (FWHM)（nm）
      6
    • Polarisation Ratio TE / (TM+TE)（%）
      80
    • Emitter Width（μm）
      200~400
    • Welding Temperature（℃）
      ≤260
    • Operating Temp.（℃）
      15~40
    • Storage Temp.（℃）
      0~70
    • Wavelength Temperature Coefficient（nm/°C）
      0.3
    • Dimension（mm）
      4.8×4.05×0.456 / 4.5×5.7×0.5
    • Weight（g）
      <1

  • 880

    cos1.png
    • Output Power（W）
      10~15
    • Central Emission Wavelength（nm）
      878
    • Threshold Current（A）
      1.5
    • Operating Current（A）
      11~15
    • Operating Voltage（V）
      1.75
    • Vertical Far Field 95% PlB [Deg]（°）
      58
    • Lateral Far Field 95% PlB [Deg]（°）
      11
    • Slope Efficiency
      1.1
    • Conversion Efficiency（%）
      52~57
    • Wavelength Center (l=2A)
      874~877
    • Spectral Width (FWHM)（nm）
      6
    • Polarisation Ratio TE / (TM+TE)（%）
      80
    • Emitter Width（μm）
      200~400
    • Welding Temperature（℃）
      ≤260
    • Operating Temp.（℃）
      15~40
    • Storage Temp.（℃）
      0~70
    • Wavelength Temperature Coefficient（nm/°C）
      0.3
    • Dimension（mm）
      4.8×4.05×0.456 / 4.5×5.7×0.5
    • Weight（g）
      <1

  • 915

    cos1.png
    • Output Power（W）
      12~35
    • Central Emission Wavelength（nm）
      915
    • Threshold Current（A）
      0.6~1.8
    • Operating Current（A）
      12~35
    • Operating Voltage（V）
      1.75
    • Vertical Far Field 95% PlB [Deg]（°）
      58
    • Lateral Far Field 95% PlB [Deg]（°）
      11
    • Slope Efficiency
      1.03
    • Conversion Efficiency（%）
      55~57
    • Wavelength Center (l=2A)
      903~915
    • Spectral Width (FWHM)（nm）
      6
    • Polarisation Ratio TE / (TM+TE)（%）
      95
    • Emitter Width（μm）
      96~230
    • Welding Temperature（℃）
      ≤260
    • Operating Temp.（℃）
      15~40
    • Storage Temp.（℃）
      0~70
    • Wavelength Temperature Coefficient（nm/°C）
      0.3
    • Dimension（mm）
      4.8×4.05×0.456 / 4.5×5.7×0.5
    • Weight（g）
      <1

  • 976

    cos1.png
    • Output Power（W）
      12~35
    • Central Emission Wavelength（nm）
      976
    • Threshold Current（A）
      0.6~1.8
    • Operating Current（A）
      12~35
    • Operating Voltage（V）
      1.75
    • Vertical Far Field 95% PlB [Deg]（°）
      58
    • Lateral Far Field 95% PlB [Deg]（°）
      11
    • Slope Efficiency
      1.03
    • Conversion Efficiency（%）
      55~57
    • Wavelength Center (l=2A)
      960~970
    • Spectral Width (FWHM)（nm）
      6
    • Polarisation Ratio TE / (TM+TE)（%）
      95
    • Emitter Width（μm）
      100~230
    • Welding Temperature（℃）
      ≤260
    • Operating Temp.（℃）
      15~40
    • Storage Temp.（℃）
      0~70
    • Wavelength Temperature Coefficient（nm/°C）
      0.3
    • Dimension（mm）
      4.8×4.05×0.456 / 4.5×5.7×0.5
    • Weight（g）
      <1
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