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808nm Semiconductor Laser

The 808nm series semiconductor laser is a high-efficiency, high-stability laser device operating in the near-infrared (NIR) spectrum. Due to its unique optical characteristics, the 808nm wavelength is widely used in medical treatments, aesthetic procedures, industrial processing, and scientific research applications.

  • 8W~50W
    Output Power
  • 808±5nm
    Central Emission Wavelength
  • 6nm
    Spectral Width
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vs
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  • 808-8W
  • 808-16W
  • 808-25W
  • 808-50W

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Product Advantages

  • High Conversion Efficiency

    The advanced semiconductor technology enables the 808nm laser to achieve exceptional electro-optic conversion efficiency, significantly reducing energy loss.

  • Superior Wavelength Characteristics

    The 808nm wavelength demonstrates excellent transmittance in biological tissues, making it particularly suitable for medical and aesthetic applications.

  • High Output Power

    Capable of delivering output power ranging up to several watts or even tens of watts to meet various high-intensity application requirements.

Applications

  • underlay image Lark-3ASE（内部移除）.png
    Solid-State Laser Pump Source
  • underlay image 固体激光器泵源2.png
    Solid-State Laser Pump Source
  • underlay image 固体激光器泵源.png
    Solid-State Laser Pump Source

Specification

Product Model
  • 808-8W
    808nm1.png
    vs
  • 808-16W
    808nm2.png
    vs
  • 808-25W
    808nm3.png
    vs
  • 808-50W
    808nm1.png
    vs
  • Output Power（W）
  • Central Emission Wavelength（nm）
  • Spectral Width (Fwhm)（nm）
  • 95% Power Within NA（NA）
  • Anti-reflection Range（nm）
  • Conversion Efficiency（%）
  • Threshold Current（A）
  • Operating Current（A）
  • Operating Voltage（V）
  • Core Diameter（μm）
  • Fiber Clad Diameter（μm）
  • Operating Temp.（°C）
  • Storage Temp.（°C）
  • Wavelength Temperature Coefficient（nm/°C）
  • Dimension（mm）
  • Weight（g）

  • 808-8W

    808nm1.png
    • Output Power（W）
      8
    • Central Emission Wavelength（nm）
      808
    • Spectral Width (Fwhm)（nm）
      6
    • 95% Power Within NA（NA）
      0.2
    • Anti-reflection Range（nm）
      1040~1200
    • Conversion Efficiency（%）
      50
    • Threshold Current（A）
      1.8
    • Operating Current（A）
      12
    • Operating Voltage（V）
      1.8
    • Core Diameter（μm）
      400
    • Fiber Clad Diameter（μm）
      440
    • Operating Temp.（°C）
      15~40
    • Storage Temp.（°C）
      -20~85
    • Wavelength Temperature Coefficient（nm/°C）
      0.3
    • Dimension（mm）
      62.5×29×10.02
    • Weight（g）
      ≈40

  • 808-16W

    808nm2.png
    • Output Power（W）
      16
    • Central Emission Wavelength（nm）
      808
    • Spectral Width (Fwhm)（nm）
      6
    • 95% Power Within NA（NA）
      0.2
    • Anti-reflection Range（nm）
      1040~1200
    • Conversion Efficiency（%）
      50
    • Threshold Current（A）
      1.8
    • Operating Current（A）
      12
    • Operating Voltage（V）
      3.6
    • Core Diameter（μm）
      400
    • Fiber Clad Diameter（μm）
      440
    • Operating Temp.（°C）
      15~40
    • Storage Temp.（°C）
      -20~85
    • Wavelength Temperature Coefficient（nm/°C）
      0.3
    • Dimension（mm）
      71×42×11.02
    • Weight（g）
      ≈87.8

  • 808-25W

    808nm3.png
    • Output Power（W）
      25
    • Central Emission Wavelength（nm）
      808
    • Spectral Width (Fwhm)（nm）
      6
    • 95% Power Within NA（NA）
      0.2
    • Anti-reflection Range（nm）
      1040~1200
    • Conversion Efficiency（%）
      50
    • Threshold Current（A）
      1.8
    • Operating Current（A）
      12
    • Operating Voltage（V）
      5.4
    • Core Diameter（μm）
      400
    • Fiber Clad Diameter（μm）
      440
    • Operating Temp.（°C）
      15~40
    • Storage Temp.（°C）
      -20~85
    • Wavelength Temperature Coefficient（nm/°C）
      0.3
    • Dimension（mm）
      77×38.5×10.95
    • Weight（g）
      ≈92

  • 808-50W

    808nm1.png
    • Output Power（W）
      50
    • Central Emission Wavelength（nm）
      808
    • Spectral Width (Fwhm)（nm）
      6
    • 95% Power Within NA（NA）
      0.2
    • Anti-reflection Range（nm）
      1040~1200
    • Conversion Efficiency（%）
      50
    • Threshold Current（A）
      1.8
    • Operating Current（A）
      12
    • Operating Voltage（V）
      14.5
    • Core Diameter（μm）
      400
    • Fiber Clad Diameter（μm）
      440
    • Operating Temp.（°C）
      15~40
    • Storage Temp.（°C）
      -20~85
    • Wavelength Temperature Coefficient（nm/°C）
      0.3
    • Dimension（mm）
      122.5×48×17
    • Weight（g）
      ≈310
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